transistor de canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

transistor de canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.55€
5-24
3.08€
25-49
2.72€
50+
2.39€
Cantidad en inventario: 79

Transistor de canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 238pF. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Función: Protección de diodo Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: P14NK50ZFP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP14NK50ZFP
32 parámetros
DI (T=100°C)
7.6A
DI (T=25°C)
14A
Idss (máx.)
50uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.34 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220FP
Voltaje Vds(máx.)
500V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2000pF
Cantidad por caja
1
Costo)
238pF
Diodo Trr (Mín.)
470 ns
Función
Protección de diodo Zener
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
48A
Marcado en la caja
P14NK50ZFP
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
35W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
54 ns
Td(encendido)
24 ns
Tecnología
SuperMESH ™Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics