transistor de canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

transistor de canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.87€
25-49
0.76€
50-99
0.68€
100+
0.56€
Cantidad en inventario: 73

Transistor de canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.08 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 315pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: Capacidad excepcional de dv/dt, carga de puerta baja. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 64A. Marcado en la caja: P16NF06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(apagado): 7 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP16NF06
32 parámetros
DI (T=100°C)
11A
DI (T=25°C)
16A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.08 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
315pF
Cantidad por caja
1
Costo)
70pF
Diodo Trr (Mín.)
50 ns
Función
Capacidad excepcional de dv/dt, carga de puerta baja
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
64A
Marcado en la caja
P16NF06
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
ID pulse 64A, Low gate charge
Td(apagado)
7 ns
Td(encendido)
17 ns
Tecnología
STripFET™ II Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics