Transistor de canal N STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1270pF. Diodo Trr (Mín.): 67 ns. Función: conmutación, aplicaciones automotrices. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 480A. Marcado en la caja: 200N4F3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24