Transistor de canal N STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 500pF. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Función: Baja capacitancia de puerta. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: P20NM60FD. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 192W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(apagado): 8 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24