Transistor de canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 350pF. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: P20NM60FP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: MDmesh™ MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24