Transistor de canal N STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.135 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 115pF. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Función: conmutación de circuitos. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: 26NM60N. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 85 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24