Transistor de canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.038 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1180pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 110us. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 140A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Baja carga de entrada. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tensión umbral del diodo: 1.3V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24