transistor de canal N STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

transistor de canal N STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.26€
5-49
1.04€
50-99
0.88€
100+
0.79€
Cantidad en inventario: 47

Transistor de canal N STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 690pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Función: trr 65ns, dv/dt eficiente. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Marcado en la caja: P36NF06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Td(apagado): 27 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP36NF06
27 parámetros
DI (T=100°C)
21A
DI (T=25°C)
30A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.032 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
690pF
Cantidad por caja
1
Costo)
170pF
Función
trr 65ns, dv/dt eficiente
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
60.4k Ohms
Marcado en la caja
P36NF06
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
70W
RoHS
Td(apagado)
27 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics