transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.18€
5-49
1.03€
50-99
0.87€
100+
0.81€
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Transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 660pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 30A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: trr 55ns, dv/dt eficiente. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Marcado del fabricante: P36NF06L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. RoHS: sí. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP36NF06L
30 parámetros
Vivienda
TO-220
DI (T=100°C)
21A
DI (T=25°C)
30A
Idss (máx.)
30A
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
60V
Resistencia en encendido Rds activado
0.032 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
60V
Cantidad por caja
1
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
660pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
70W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 15A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
30A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Función
trr 55ns, dv/dt eficiente
Identificación (diablillo)
60.4k Ohms
Marcado del fabricante
P36NF06L
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
70W
Retardo de desconexión tf[nseg.]
19 ns
RoHS
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
10 ns
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics