Transistor de canal N STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 57pF. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 13.2A. Marcado en la caja: P3NB60. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerMESH™ MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24