Transistor de canal N STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 57pF. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Función: relación dv/dt muy alta, para aplicaciones de conmutación. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 10A. Marcado en la caja: P3NK80Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24