Transistor de canal N STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 95pF. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 16A. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24