transistor de canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V

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Transistor de canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 310pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: P4NK50Z. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45

Documentación técnica (PDF)
STP4NK50Z-ZENER
16 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
500V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
310pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
45W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
2.7 Ohms @ 1.5A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
3A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
P4NK50Z
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
21 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
10 ns
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics