Transistor de canal N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. DI (T=100°C): 35A. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Características: -. Costo): 300pF. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 50A. Identificación (diablillo): 200A. Información: -. MSL: -. Marcado en la caja: P55NF06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Polaridad: MOSFET N. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Serie: -. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24