transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.40€
5-24
1.17€
25-49
1.03€
50-99
0.93€
100+
0.79€
Cantidad en inventario: 160

Transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 300pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 220A. Marcado en la caja: P55NF06L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 40ms. Td(encendido): 20ms. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.7V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP55NF06L
31 parámetros
DI (T=100°C)
39A
DI (T=25°C)
55A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.016 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
1700pF
Cantidad por caja
1
Costo)
300pF
Diodo Trr (Mín.)
80 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
220A
Marcado en la caja
P55NF06L
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
95W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
40ms
Td(encendido)
20ms
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.7V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics