Transistor de canal N STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 910pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 4.3A. Costo): 98pF. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 17.2A. Marcado en la caja: P5NK80Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Potencia: 110W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24