Transistor de canal N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2000pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 360pF. Diodo Trr (Mín.): 110us. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 60A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: carga de puerta baja, VGS(th) 1...2.5V. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 240A. Marcado del fabricante: P60NF06L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. RoHS: sí. Spec info: carga de puerta baja, VGS(th) 1...2.5V. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura: +240°C. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 35 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24