Transistor de canal N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. Resistencia en encendido Rds activado: 12.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 33V. C(pulg): 1330pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 420pF. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: totalmente protegido. Identificación (diablillo): 248A. Marcado en la caja: P62NS04Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58