Transistor de canal N STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Vivienda: TO-220. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 905pF. Cantidad por caja: 1. Características: -. Costo): 115pF. Diodo Trr (Mín.): 445 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. IDss (mín.): 1uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4A. Información: -. MSL: -. Marcado en la caja: P6NK60Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 104W. Polaridad: MOSFET N. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Rds on (max) @ id, VGS: 2 Ohms / 2.8A / 10V. RoHS: sí. Serie: SuperMESH. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58