Transistor de canal N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.56 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 130pF. Diodo Trr (Mín.): 840 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 23.2A. Marcado en la caja: P6NK90Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58