transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.79€
5-24
1.56€
25-49
1.38€
50-99
1.23€
100+
1.03€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 124

Transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0095 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 3700pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 70A. Costo): 730pF. Diodo Trr (Mín.): 132 ns. Embalaje: tubus. Función: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: P75NF75. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Polaridad: unipolares. Potencia: 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Td(apagado): 66 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 75V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58

Documentación técnica (PDF)
STP75NF75
38 parámetros
Vivienda
TO-220
DI (T=100°C)
70A
DI (T=25°C)
80A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0095 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
75V
C(pulg)
3700pF
Cantidad por caja
1
Corriente de drenaje
70A
Costo)
730pF
Diodo Trr (Mín.)
132 ns
Embalaje
tubus
Función
DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
320A
Marcado en la caja
P75NF75
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
300W
Polaridad
unipolares
Potencia
300W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Drain Current (pulsed) IDM--320Ap
Td(apagado)
66 ns
Td(encendido)
25 ns
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
75V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

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