transistor de canal N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

transistor de canal N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.47€
5-24
2.15€
25-49
1.81€
50+
1.75€
Cantidad en inventario: 97

Transistor de canal N STP80NF06, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 3850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 800pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: SWITCHING APPLICATION. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: P80NF06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58

STP80NF06
33 parámetros
DI (T=100°C)
80A
DI (T=25°C)
80A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0065 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
55V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
3850pF
Cantidad por caja
1
Costo)
800pF
Diodo Trr (Mín.)
80 ns
Función
SWITCHING APPLICATION
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
320A
Marcado en la caja
P80NF06
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
300W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
70 ns
Td(encendido)
25 ns
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-65...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics