Transistor de canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 4300pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 600pF. Diodo Trr (Mín.): 155 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: P80NF12. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58