transistor de canal N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

transistor de canal N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.18€
5-24
1.88€
25-49
1.68€
50-99
1.52€
100+
1.31€
Cantidad en inventario: 18

Transistor de canal N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1320pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 143pF. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 24.8A. Marcado en la caja: P8NK80ZFP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58

Documentación técnica (PDF)
STP8NK80ZFP
31 parámetros
DI (T=100°C)
3.9A
DI (T=25°C)
6.2A
Idss (máx.)
50uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.3 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO220FP
Voltaje Vds(máx.)
800V
C(pulg)
1320pF
Cantidad por caja
1
Costo)
143pF
Diodo Trr (Mín.)
460 ns
Función
Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
24.8A
Marcado en la caja
P8NK80ZFP
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
30W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
48 ns
Td(encendido)
17 ns
Tecnología
SuperMESH™Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics