transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.01€
5-24
1.71€
25-49
1.51€
50-99
1.34€
100+
1.11€
Cantidad en inventario: 25

Transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1110pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 135pF. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1us. Identificación (diablillo): 28A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58

Documentación técnica (PDF)
STP9NK60Z
27 parámetros
DI (T=100°C)
4.4A
DI (T=25°C)
7A
Idss (máx.)
50uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.85 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
1110pF
Cantidad por caja
1
Costo)
135pF
Diodo Trr (Mín.)
480 ns
Función
HIGH Current, HIGH Speed Switching
IDss (mín.)
1us
Identificación (diablillo)
28A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
125W
RoHS
Td(apagado)
43 ns
Td(encendido)
19 ns
Tecnología
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics