transistor de canal N STP9NK60Z-ZENER, TO-220AB, 600V

transistor de canal N STP9NK60Z-ZENER, TO-220AB, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-49
2.97€
50+
1.98€
Cantidad en inventario: 63

Transistor de canal N STP9NK60Z-ZENER, TO-220AB, 600V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1100pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 7A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: P9NK60Z. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06

Documentación técnica (PDF)
STP9NK60Z-ZENER
16 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
600V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
1100pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
125W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.95 Ohms @ 3.5A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
7A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
P9NK60Z
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
43 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
19 ns
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics