Transistor de canal N STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammopak. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 94pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 17.6pF. Diodo Trr (Mín.): 135 ns. Función: Capacidad mejorada contra ESD y protección Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 1.2A. Marcado en la caja: 1NK60ZR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 5.5 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58