Transistor de canal N STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2180pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 205pF. Diodo Trr (Mín.): 645 ns. Función: protegido con el diodo Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36A. Marcado en la caja: W10NK80Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58