transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV

transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV

Cantidad
Precio unitario
1-9
14.29€
10+
11.41€
Cantidad en inventario: 157

Transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 8.3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: W11NK100Z. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 98 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22

Documentación técnica (PDF)
STW11NK100Z-ZENER
16 parámetros
Vivienda
TO-247
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
1 kV
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3500pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
230W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.38 Ohms @ 4.15A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
8.3A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
W11NK100Z
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
98 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
27 ns
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics