Transistor de canal N STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2620pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 635 ns. Función: Capacidad ESD mejorada. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 42A. Marcado en la caja: W12NK80Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58