Transistor de canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 3500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 280pF. Diodo Trr (Mín.): 964ns. Función: Capacidad ESD mejorada. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 44A. Marcado en la caja: W12NK90Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA. Td(apagado): 88 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58