Transistor de canal N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2000pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 238pF. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 14A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1mA. Identificación (diablillo): 48A. Marcado del fabricante: W14NK50Z. Marcado en la caja: W14NK50Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 54 ns. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 24 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58