Transistor de canal N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 2600pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 17A, 12.6A. Costo): 328pF. Diodo Trr (Mín.): 355 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 17A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 68A. Marcado del fabricante: W20NK50Z. Marcado en la caja: W20NK50Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Polaridad: unipolares. Potencia: 190W. Propiedades del semiconductor: Protegido contra ESD. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Voltaje de fuente de drenaje: 500V. Voltaje de fuente de puerta: ±30V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58