Transistor de canal N STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 350pF. Diodo Trr (Mín.): 510 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: W20NM60. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58