transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.48€
5-14
4.42€
15-29
4.92€
30-59
4.69€
60+
4.25€
Cantidad en inventario: 51

Transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 60pF. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Función: conmutación de circuitos. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: 28N65M2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 59 ns. Td(encendido): 13.4 ns. Tecnología: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

Documentación técnica (PDF)
STW28N65M2
27 parámetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.15 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Voltaje Vds(máx.)
650V
C(pulg)
1440pF
Cantidad por caja
1
Costo)
60pF
Diodo Trr (Mín.)
384 ns
Función
conmutación de circuitos
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
80A
Marcado en la caja
28N65M2
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
170W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
59 ns
Td(encendido)
13.4 ns
Tecnología
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
25V
Tipo de canal
N
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V