transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Cantidad
Precio unitario
1-4
19.01€
5-9
18.24€
10-19
17.49€
20+
16.75€
Cantidad en inventario: 35

Transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 3800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1250pF. Diodo Trr (Mín.): 508 ns. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 180A. Marcado en la caja: W45NM60. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 417W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

Documentación técnica (PDF)
STW45NM60
31 parámetros
DI (T=100°C)
28A
DI (T=25°C)
45A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.09 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Voltaje Vds(máx.)
650V
C(pulg)
3800pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1250pF
Diodo Trr (Mín.)
508 ns
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
180A
Marcado en la caja
W45NM60
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
417W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(apagado)
16 ns
Td(encendido)
30 ns
Tecnología
MDmesh PpwerMOSFET
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics