Transistor de canal N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 1154pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 106pF. Diodo Trr (Mín.): 605 ns. Función: protegido con el diodo Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 14A. Marcado en la caja: W5NK100Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 51.5 ns. Td(encendido): 22.5 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08