Transistor de canal N SUP75N03-04, TO-220AB, 30 v. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 10742pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 187W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 75A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: SUP75N03-04. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 190 ns. RoHS: no. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Siliconix. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:37