transistor de canal N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

transistor de canal N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.01€
5-24
2.62€
25-49
2.34€
50+
2.05€
Cantidad en inventario: 498

Transistor de canal N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 85A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.003 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 3535pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 680pF. Diodo Trr (Mín.): 41 ns. Función: Fuente de alimentación, convertidor CC/CC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: TrenchFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

Documentación técnica (PDF)
SUP85N03-3M6P
32 parámetros
DI (T=100°C)
85A
DI (T=25°C)
85A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.003 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
30 v
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
3535pF
Cantidad por caja
1
Costo)
680pF
Diodo Trr (Mín.)
41 ns
Función
Fuente de alimentación, convertidor CC/CC
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
60.4k Ohms
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
78W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
(D-S) 150°C MOSFET
Td(apagado)
35 ns
Td(encendido)
11 ns
Tecnología
TrenchFET® Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Vishay