Transistor de canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1050pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Función: Regulador de conmutación. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08