Transistor de canal N TSM9926DCSRLG, SO8, 20V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 562pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21.8 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 0.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56