Transistor de canal N VNB10N07, D²-PAK, TO-263, 70V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 10A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: VNB10N07. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 900ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +135°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42