Transistor de canal N VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 70V. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 350pF. Diodo Trr (Mín.): 125 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 10A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: MOSFET de potencia totalmente autoprotegido. IDss (mín.): 50uA. IGF: 50mA. Identificación (diablillo): 14A. Marcado del fabricante: VNP10N07-E. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: diodo Zener. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 900ns. RoHS: sí. Spec info: Limitación de corriente lineal. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: OMNIFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +135°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08