transistor de canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V

transistor de canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.12€
5-24
3.74€
25-49
3.43€
50-99
3.18€
100+
2.86€
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Transistor de canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 20A. Vivienda (norma JEDEC): -. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 70V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 83W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ 10A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 20A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Mosfet de potencia totalmente autoprotegido. IDss (mín.): 50uA. Marcado del fabricante: VNP20N07-E. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 1200 ns. RoHS: sí. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Tecnología: OMNIFET. Temperatura máxima: +135°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 180 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

Documentación técnica (PDF)
VNP20N07
28 parámetros
Vivienda
TO-220
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
200uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.05 Ohms
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
70V
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
70V
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
83W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms @ 10A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
20A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Función
Mosfet de potencia totalmente autoprotegido
IDss (mín.)
50uA
Marcado del fabricante
VNP20N07-E
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
83W
Retardo de desconexión tf[nseg.]
1200 ns
RoHS
Spec info
Voltage Clamp 70V, I limit 20A
Tecnología
OMNIFET
Temperatura máxima
+135°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
3V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
180 ns
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics