Transistor de canal N VNP35N07, TO-220, Limitado internamente, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. DI (T=25°C): Limitado internamente. Idss (máx.): 200uA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 70V. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 980pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 35A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Interruptor de conductor totalmente autoprotegido. IDss (mín.): 50uA. Marcado del fabricante: VNP35N07. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 1000 ns. RoHS: sí. Spec info: Limitación de corriente lineal. Td(apagado): 650 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: OMNIFET. Temperatura máxima: +135°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 200 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Utilizado para: Ilim= 35A IR= -50A. Voltaje de entrada Vin (máx.): 18V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08