Transistor de canal N VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 45V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 107ns. IDss (mín.): 30uA. Marcado en la caja: S3NV04DP. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD S3NV04DP. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. Td(apagado): 450 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08