Transistor de canal N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0055 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Corriente máxima de drenaje: 130A. Potencia: 260W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 05:18