transistor de canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB

Cantidad

Precio unitario

1-9

1.89€

10-19

1.52€

20-29

1.39€

30-49

1.27€

50-149

1.17€

150+

1.14€

Cantidad en inventario: 369

Transistor de canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0029 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Corriente máxima de drenaje: 200A. Potencia: 260W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 05:18

Documentación técnica (PDF)

YJP200G06A

8 parámetros

Tensión drenaje-fuente (Vds)

60V

Resistencia en encendido Rds activado

0.0029 Ohms

Vivienda

TO-220AB

Corriente máxima de drenaje

200A

Potencia

260W

Tipo de canal

Tipo de transistor

transistor de potencia MOSFET

Producto original del fabricante

Yangjie Electronic Technology