transistor de canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Cantidad
Precio unitario
1-9
1.90€
10-19
1.52€
20-29
1.39€
30-49
1.27€
50-149
1.18€
150+
1.14€
| Cantidad en inventario: 349 |
Transistor de canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0029 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Corriente máxima de drenaje: 200A. Potencia: 260W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 14/02/2026, 04:51
YJP200G06A
8 parámetros
Tensión drenaje-fuente (Vds)
60V
Resistencia en encendido Rds activado
0.0029 Ohms
Vivienda
TO-220AB
Corriente máxima de drenaje
200A
Potencia
260W
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
transistor de potencia MOSFET
Producto original del fabricante
Yangjie Electronic Technology