transistor de canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms
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Transistor de canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0086 Ohms. Corriente máxima de drenaje: 70A. Potencia: 125W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:28
YJP70G10A
7 parámetros
Tensión drenaje-fuente (Vds)
100V
Resistencia en encendido Rds activado
0.0086 Ohms
Corriente máxima de drenaje
70A
Potencia
125W
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
transistor de potencia MOSFET
Producto original del fabricante
Yangjie Electronic Technology