Transistor de canal N YTAF630, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08